Indium nitride

Indium nitride es un pequeño material de semiconductor bandgap que tiene la aplicación potencial en células solares y electrónica de la alta velocidad.

El bandgap de InN se ha establecido ahora como ~0.7 eV según la temperatura (el valor obsoleto es 1.97 eV).

La masa de electrones eficaz ha sido determinada recientemente por medidas del campo magnético altas

, m * = 0.055 m. Aleado con GaN, el sistema ternario InGaN tiene una envergadura de bandgap directa de infrarrojo (0.65 eV) al ultravioleta (3.4 eV).

Actualmente hay investigación en el desarrollo de células solares usando los semiconductores basados nitride. Usando la aleación indium galio nitride (InGaN), un partido óptico al espectro solar se obtiene. El bandgap de InN permite a unas longitudes de onda hasta 1900 nm para utilizarse. Sin embargo, hay muchas dificultades para vencerse si tales células solares se deben hacer una realidad comercial. el dopaje del p-tipo de InN e InGaN indium-rico es uno de los desafíos más grandes. El crecimiento de Heteroepitaxial de InN con otro nitrides (GaN, AlN) ha resultado ser difícil.

Las películas policristalinas delgadas de indium nitride pueden ser muy propicias y hasta superpropicias a temperaturas de helio. La temperatura de transición de superconducción T depende de la estructura de la película y es debajo de 4 K. La superconductividad persiste bajo el campo magnético alto (pocos teslas) que se diferencia de la superconductividad en En el metal que es apagado por campos de sólo 0.03 tesla. Sin embargo, la superconductividad se atribuye a cadenas indium metálicas o nanoclusters, donde el tamaño pequeño aumenta el campo magnético crítico según la teoría del Ginzburg-landó.

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